Estructura interna del volcán Sabancaya mediante el método de magnetotelúrica

Abstract

Se realiza la aplicación del método magnetotelúrico (MT) en el Complejo Volcánico Ampato-Sabancaya (CVAS), volcán Hualca Hualca (VHH) y alrededores. El procesamiento de estos datos e inversión unidimensional (1D) y tridimensional (3D), han permitido obtener modelos de resistividad 1D y 3D, que permitieron identificar tres zonas conductivas y dos zonas resistivas a diferentes niveles de profundidad: 1) El conductor superficial C1 (1 a10 Ω.m), ubicado a ~1.0 km de profundidad, asociado al sistema hidrotermal que comparten el CVAS y VHH. 2) El conductor intermedio C2, está compuesto por los sub-conductores C2.1, C2.2 y C2.3. De ellos, el C2.1 (1 a 4 Ω.m), se ubica bajo el volcán Sabancaya, entre ~2 y 8 km de profundidad que por sus características, se trataría de la cámara magmática superficial del volcán Sabancaya; C2.2 (< 1.2 Ω.m), ubicada por debajo del volcán Ampato, entre ~3 y 10 km de profundidad, podría estar asociada a fluidos magmáticos remanentes de erupciones pasadas; C2.3 (<0.1 Ω.m), ubicada por debajo de la zona Huambo-Cabanaconde, entre 2 y 7 km de profundidad, podría deberse al alto grado de alteración de las rocas y la presencia de fallas tectóniucas o a fluidos magmáticos ultra salinos que se habrían emplazado durante la etapa de intranquilidad del volcán Sabancaya. 3) La zona conductiva profunda C3 (< 0.5Ω.m), ubicada bajo el volcán Hualca Hualca, entre ~12.5 y 18 km de profundidad, puede corresponder a la cámara magmática que alimenta el actual proceso eruptivo del Sabancaya. Los cambios de presión generados por la intrusión y movimiento de los fluidos magmáticos, desde esta cámara profunda hasta la zona intermedia y superficial (C1 y C2) sería la responsable de la deformación observada en una extensa área del volcán Hualca Hualca, dando lugar a la ocurrencia de enjambres de sismos cercanos a fallas tectónicas. La sismicidad está presente al noroeste, norte y noreste del volcán Sabancaya, en las zonas altamente resistivas (R1, R2).